سامسونگ سرعت 8.5 گیگابیت بر ثانیه حافظه های موبایل LPDDR5X خود را تایید کرده است

سامسونگ دستیابی به سرعت 8.5 گیگابیت بر ثانیه را در حافظه های LPDDR5X خود که با فرآیند 14 نانومتری بر روی پلتفرم اسنپدراگون کوالکام ساخته شده است، تایید کرده است. DRAM آزمایش شده از نوع 8 گیگابایتی است که با فرآیند EUV بر روی آخرین پلتفرم Qualcomm Snapdragon توسعه یافته است.

سامسونگ، بزرگ‌ترین سازنده تراشه‌های حافظه در جهان، تاکید کرد که تنها پنج ماه پس از رسیدن به رکورد 7.5 گیگابیت در ثانیه، اکنون به 8.5 گیگابیت در ثانیه رسیده است. غول فناوری کره جنوبی می گوید حافظه DRAM جدیدش 1.3 برابر سریعتر از LPDDR5 (با حداکثر سرعت 6.4 گیگابیت بر ثانیه) است. این شرکت همچنین اعلام کرد که سرعت بالاتر LPDDR5X DRAM می‌تواند در حوزه‌های دیگر فناوری علاوه بر صنعت موبایل استفاده شود.

به گفته ZDNet، تقاضا برای LPDDR DRAM یا DRAM کم مصرف در سرورها، خودروهای هوشمند و سیستم‌های محاسباتی با کارایی بالا در حال افزایش است. سامسونگ تایید کرده است که مصرف انرژی کمتر این تراشه ها برای مصرف کنندگان جذاب است زیرا باعث صرفه جویی در هزینه می شود.

مقاله مرتبط:

این شرکت کره ای همچنین می گوید که هنگام ایجاد DRAM های جدید، از طراحی اختصاصی استفاده کرده است که سیگنال های ورودی و خروجی را بهبود می بخشد و نویز بین تراشه حافظه و پردازنده را به حداقل می رساند.

در همین حال، انتظار می رود که کسب و کار تراشه های سامسونگ کمترین سود خود را در سه سال اخیر برای سه ماهه سوم سال جاری گزارش کند. این شرکت در اوایل این ماه اعلام کرد که سود عملیاتی سه ماهه سوم آن نسبت به سال قبل 31.73 درصد کاهش یافته است، که به گفته تحلیلگران عمدتا به دلیل کاهش تقاضا برای تراشه های حافظه است.

  سری Snowa Live لوازم خانگی هوشمند Snowa

دیدگاهتان را بنویسید